Conform Go4IT: Samsung pregătește saltul spre procesul de 1 nanometru (nm) pentru producția de microcipuri, intenționând să introducă tehnologia High-NA EUV în jurul anului 2030. Această mutare strategică ar marca un nou capitol pentru divizia de foundry a companiei sud-coreene, care deja a instalat două sisteme High-NA EUV la centrul său din Hwaseong. Tehnologia High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet (High-NA EUV) reprezintă o generație avansată de litografie, capabilă să traseze linii mult mai fine, esențiale pentru dezvoltarea cipurilor de inteligență artificială de viitor.
High-NA EUV, o necesitate pentru 1 nm
Deși Samsung a analizat anterior implementarea High-NA EUV pentru procesele de 2 nm și 1,4 nm, compania a concluzionat că tehnologia necesită îmbunătățiri suplimentare pentru o adoptare pe scară largă. ChangMin Park, expert senior în tehnologie la Samsung Electronics, a explicat că High-NA EUV ar putea deveni un standard începând cu procesul A10 și versiunile ulterioare. Samsung a demarat deja producția comercială pe procesul de 2 nm, având în plan procesul SF1.4, a cărui producție de masă este programată pentru 2029, urmat de SF1.4+ și de procesul de 1 nm, anticipate pentru 2030.
Tehnologie de litografiere de înaltă rezoluție
Prin creșterea deschiderii numerice de la 0,33 la 0,55, tehnologia High-NA EUV oferă o rezoluție superioară în litografiere. Aceasta are potențialul de a elimina necesitatea unor etape multiple de patterning, utilizând o singură trecere pentru anumite structuri, ceea ce ar putea reduce costurile și crește flexibilitatea în proiectarea circuitelor. Totuși, implementarea este complexă și costisitoare, iar provocările legate de măști și pelicule de protecție ar putea determina o coexistență a EUV convențional cu multi-patterning și a tehnologiei High-NA EUV pentru o perioadă.
Investiții strategice în echipamente
Samsung a făcut investiții semnificative, estimate la peste 1.000 de miliarde de woni, achiziționând și instalând primele două sisteme High-NA EUV la centrul din Hwaseong. Cu toate acestea, implementarea comercială la scară largă rămâne neconfirmată, principalul obstacol fiind costurile ridicate, conform rapoartelor anterioare. Compania își propune totodată să redreseze afacerea de producție de cipuri pentru clienți externi și extinde utilizarea tehnologiei Atomic Layer Etching (ALE) pentru un control mai precis al structurilor ultrascurte.
Competiția pe piața High-NA EUV
Samsung nu este singurul jucător major care investește în această tehnologie. Intel a început deja să utilizeze High-NA EUV pentru anumite straturi ale procesoarelor Panther Lake, fabricate pe procesul Intel 18A, marcând prima utilizare a tehnologiei pentru dispozitive logice produse în serie. TSMC, pe de altă parte, adoptă o abordare mai precaută, deși a achiziționat echipamente High-NA EUV și desfășoară activități de cercetare, consideră că tehnologia nu este necesară pentru toate procesele viitoare, cu procesele A13 și A12 programate pentru 2029, fără a necesita această nouă generație. SK hynix explorează, de asemenea, utilizarea High-NA EUV pentru următoarele generații de memorii DRAM, având un sistem dedicat producției de masă programat pentru a doua jumătate a anului 2025.
Sursa: Go4IT